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驱动条件对IGBT的性能和应用有什么影响?

作者:海飞乐技术 时间:2018-05-23 10:14

  栅极驱动电压VGE与栅极电阻RG对IGBT的主要影响参见表1。需要一说明的是,这里的IGBT指的是N型IGBT。

表1 栅极驱动条件对IGBT的影晌
栅极驱动条件对IGBT的影晌

 
  表 1 中的内容可以佐证以下值得我们关注的结论。
  ·1.  VGES远不止手册给出的土20V(第3章已指出),进行实际测定并 留有合适的裕量、选择比较高的栅极正向偏置电压利大于弊。
  ·2. 增加VGE能够增加IGBT的饱和深度,但大于15V以后对饱和压降的影响也是微乎其微的。
  ·3. 反向偏置电压的绝对值越高越有利,一般推荐的数值是—5~—15V。实际上,如果确定是安全的,—20V也许更为合适。
  ·4. 表面上看,RG似乎取比较小的值有利,因为减小dv/dt的问题更为重要——发射极有限流电阻时,还能加强反馈作用,提高IGBT的稳定性。因此,当开关功耗不是主要矛盾时,应该选择比较大的RG,如高压应用场合,就应该选择比较大的RG值。




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