IGBT驱动板
产品咨询 样品申请
??1350V/25A IGBT替换IHW20N135R3>>您当前位置:海飞乐技术有限公司 > IGBT > IGBT单管 >

1350V/25A IGBT替换IHW20N135R3

BEE 时间:2019-04-15 16:25

1350V/25A IGBT 
  海飞乐技术1350V25A场截止沟槽型高开关速度IGBT单管(可替换IHW20N135R3),连续集电极电流25A,集电极-发射极电压1350V,3引脚,TO-247封装。使用创新的设计技术和封装技术实现小尺寸、高可靠性和低关断损耗;该产品节能降耗,并全面提升能效。更低的开关损耗意味着更高的开关频率,更高的开关速度意味着在功率控制电路中可以使用更小的更低廉的元器件。此外,紧凑的工业标准TO-247封装内还集成了大多数电路所需的超高速续流二极管,减少了外部元器件的数量。适用于微波炉、逆变器、转换器、高速开关等,同时可维持较高的软度,使产品具备出色的抗电磁干扰性能,帮助最大限度发挥系统的性能。
 
1350V25A IGBT特性
高击穿电压1350V,提高可靠性
场截止沟槽技术
高速切换
坚固性高,温度稳定
软关断波形
低饱和电压
提高雪崩能力
由于VCEsat中的正温度系数,易于并联切换。
 
1350V25A IGBT应用
•感应烹饪
•逆变微波炉
•谐振转换器
•软开关应用
 
1350V25A IGBT主要技术参数
1350V25A IGBT主要技术参数 
 
1350V25A IGBT特性曲线
1350V25A IGBT特性曲线 
 
1350V25A IGBT封装外形、尺寸
1350V25A IGBT封装外形、尺寸 
 
IHW20N135R3技术参数
制造商: Infineon
产品种类: IGBT晶体管
RoHS: 符合  
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极-发射极最大电压 VCEO: 1350 V
集电极-射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25℃的连续集电极电流: 40 A
Pd-功率耗散: 310 W
工作温度范围: - 40℃~ + 175℃ 
系列: RC
封装: Tube
商标: Infineon Technologies  
栅极-射极漏泄电流: 100 nA  
产品类型: IGBT Transistors  
工厂包装数量: 240  
子类别: IGBTs  
商标名: TRENCHSTOP  
零件号别名: IHW20N135R3FKSA1 IHW2N135R3XK SP000909532  
单位重量: 6 g  
 
IHW20N135R3替换资料
  海飞乐技术1350V25A IGBT替换IHW20N135R3,我司IGBT采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的可完全替换产品,和国外进口产品相比,我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!


相关资料下载




上一篇:IKW25N120T2参数及替换资料
下一篇:1200V/40A IGBT替换IKW40N120H3

欧洲杯买球app