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IHW20N120R3参数及替换资料

BEE 时间:2019-04-03 17:43

1200V30AIGBT 
  IHW20N120R3 IGBT单管,最大连续集电极电流40A,最大集电极-发射极电压1200V,3引脚,TO-247封装。由于Vce(sat)(通态饱和电压)对总体损耗也很关键,因此需要在开关损耗和导通损耗之间实现最佳平衡。IHW20N120R3不仅具备极低的开关损耗,而且具备较低的导通损耗,这主要得益于采用本身具备较低通态饱和电压的、成熟的TrenchstopTM技术。适用于微波炉、逆变器、转换器、高速开关等,同时可维持较高的软度,使产品具备出色的抗电磁干扰性能。
 
IHW20N120R3特性
用于软开关的低正向电压大功率体二极管
最佳的参数分配
耐用性高,温度稳定
低电磁干扰
VCESAT正温度系数,易于并联切换
符合JESD-022的应用要求
无铅电镀;符合RoHS
 
IHW20N120R3应用
•感应烹饪
•逆变微波炉
•谐振转换器
•软开关应用
 
IHW20N120R3技术参数资料
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合  
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极-发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极-射极饱和电压: 1.48 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25℃的连续集电极电流: 40 A
Pd-功率耗散: 310 W
最小工作温度: - 40℃ 
最大工作温度: + 175℃ 
系列: RC
封装: Tube
商标: Infineon Technologies  
集电极连续电流: 40 A  
栅极-射极漏泄电流: 100 nA  
产品类型: IGBT Transistors  
工厂包装数量: 240  
子类别: IGBTs  
商标名: TRENCHSTOP  
零件号别名: IHW20N120R3FKSA1 IHW2N12R3XK SP000437702  
单位重量: 6.056 g
 
IHW20N120R3封装外形
1200V30AIGBT封装外形 
IHW20N120R3封装尺寸
1200V30AIGBT封装尺寸 
 
IHW20N120R3替换资料
  海飞乐技术20A/1200V IGBT单管完美替换IHW20N120R3,我司IGBT采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的可完全替换产品,和国外进口产品相比,我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。我们期待您的咨询与合作!
 
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